PSA Oksijèn Plant pou Faktori Semiconductor
Pite: 98%-99.5%


Dèlko oksijèn pou Semiconductor Faktori-Endikatè Teknik
Pite oksijèn:Semiconductor manifakti anjeneral mande pou ultra-wo pite oksijèn, jeneralman oblije rive nan 99.999% oswa menm pi wo, asire bon jan kalite a ak pèfòmans nan pwodwi semi-conducteurs.
Pousantaj koule oksijèn:Dapre echèl pwodiksyon an ak kondisyon pwosesis nan fabrikasyon semi-conducteurs, ekipman oksijèn PSA bezwen bay yon pousantaj koule oksijèn ki estab pou satisfè demann oksijèn kontinyèl nan pwosesis pwodiksyon an.
Tanperati pwen lawouze:Kontni imidite a nan oksijèn oblije ba anpil, epi tanperati pwen lawouze a anjeneral oblije anba a - 60 degre pou anpeche imidite gen yon efè negatif sou pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs la.
Kontni enpurte patikil:Kontni an nan enpurte patikil nan oksijèn dwe estrikteman kontwole, jeneralman oblije anba a 0.1 mikron, pou fè pou evite enpurte patikil ki lakòz domaj sou sifas la nan chips semi-conducteurs.
Dèlko oksijèn PSA ak plant oksijèn PSA
Oksidasyon se yon etap debaz ak kritik nan anpil lyen pwosesis nan fabrikasyon semi-conducteurs. Pou egzanp, nan pwosesis oksidasyon silisyòm wafers, oksijèn pite segondè oblije fòme yon kouch diyoksid Silisyòm (SiO₂). Kouch diyoksid Silisyòm sa a ka itilize kòm yon kouch posibilite oswa kòm yon mask pou pwosesis ki vin apre yo. Oksijèn ki wo pite bay ekipman oksijèn PSA (anjeneral ak pite ki rive jiska 99,999% oswa menm pi wo) ka asire presizyon ak estabilite reyaksyon oksidasyon an, se konsa ke kouch diyoksid Silisyòm pwodwi a gen bon jan kalite inifòm ak epesè egzak. trè enpòtan pou fabrike aparèy segondè-pèfòmans semi-conducteurs (tankou tranzistò nan sikui entegre).

NTK93 Seri PSA Oksijèn Plant Seleksyon Modèl |
||||||
Non. |
Modèl |
Kapasite (Nm3/hr) |
Pite |
Konsomasyon pouvwa nan 1Nm3 oksijèn pwodwi (kw / h) |
Kantite boutèy ranpli nan 12 èdtan (pcs) |
Operatè bezwen |
| 1 | NTK{{0}P | 5 | 93%+-3% | 3.54 | 10 | 2 |
| 2 | NTK-10P | 10 | 93%+-3% | 2.52 | 20 | 2 |
| 3 | NTK{{0}P | 15 | 93%+-3% | 2.31 | 30 | 2 |
| 4 | NTK{{0}P | 20 | 93%+-3% | 2.13 | 40 | 2 |
| 5 | NTK{{0}P | 25 | 93%+-3% | 2.01 | 50 | 2 |
| 6 | NTK{{0}P | 30 | 93%+-3% | 2.09 | 60 | 2 |
| 7 | NTK{{0}P | 40 | 93%+-3% | 1.81 | 80 | 2 |
| 8 | NTK{{0}P | 50 | 93%+-3% | 1.94 | 100 | 2 |
| 9 | NTK{{0}P | 60 | 93%+-3% | 1.62 | 120 | 2 |
| 10 | NTK{{0}P | 80 | 93%+-3% | 1.92 | 160 | 2 |
| 11 | NTK{{0}P | 100 | 93%+-3% | 1.83 | 200 | 2 |
| Baz konsepsyon: Altitid: Mwens pase oswa egal a 500m;RH: Mwens pase oswa egal a 80%;Tanperati:0 degre -38 degre;Presyon ranpli: 150Bar 40L Kalite Standard Silenn | ||||||
Baj popilè: psa oksijèn plant pou semi-conducteurs manifakti, Lachin psa oksijèn plant pou semi-conducteurs manifakti manifakti, Swèd

